Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano

Autoři

  • M. Urbánek Ústav přístrojové techniky, AV ČR, v.v.i., Brno
  • S. Krátký Ústav přístrojové techniky, AV ČR, v.v.i., Brno
  • M. Matějka Ústav přístrojové techniky, AV ČR, v.v.i., Brno
  • V. Kolařík Ústav přístrojové techniky, AV ČR, v.v.i., Brno
  • M. Horáček Ústav přístrojové techniky, AV ČR, v.v.i., Brno

Klíčová slova:

plazmochemické leptání, křemík, leptací rychlost, selektivita leptání

Abstrakt

This article deals with plasma etching of Si in a CF4/O2 mixture. This is a common way of Si etching used in micro- and nanofabrication. We determined important parameters such as etching rates and selectivity of Si and PMMA of the process. Experimental part was carried out on plasma system Diener nano.

Stahování

Publikováno

15.06.2014

Jak citovat

Urbánek, M., Krátký, S., Matějka, M., Kolařík, V., & Horáček, M. (2014). Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano. Chemické Listy, 108(6), 592–595. Získáno z http://ww.chemicke-listy.cz/ojs3/index.php/chemicke-listy/article/view/485

Číslo

Vol 108 No 6 (2014)

Sekce

Články

Nejaktuálnější články stejného autora (stejných autorů)